Si è conclusa la seconda fase della selezione del Concorso PREMIO SHANGHAI residenze artistiche per giovani artisti italiani e cinesi emergenti, nato da un progetto siglato con un intesa istituzionale a firma del Ministero per i beni e le attività culturali – Direzione Generale per il paesaggio, le belle arti, l’architettura e l’arte contemporanee ( PaBAAC ) – Servizio Architettura e Arte Contemporanee, Ministero per gli Affari Esteri – Istituto Italiano di Cultura, Sezione di Shanghai (MAE – IIC) e Istituto Garuzzo per le Arti Visive (IGAV), la cui presentazione alla stampa si è svolta presso la sala riunione dell’ICE Shanghai in data 15 ottobre 2012. Si comunicano i nomi degli artisti cinesi vincitori della prima edizione 2012:
Ning QIAN nata il 20 maggio 1989
Titolo del progetto: Relationship
Jia QIU nato il primo agosto 1977
Titolo del progetto: Catching Cage
Yang ZHOU nato il 31 luglio 1983
Titolo del progetto: Nango
La scelta è stata effettuata da una Commissione di valutazione composta dal Prof. Jianping YANG (preside della Facoltà di Belle Arti dell’Università di Shanghai), Prof. Guorong ZHU (vice-presidente dell’Associazione di Belle Arti di Shanghai ), Maestro Dionisio CIMARELLI (artista a Shanghai), Sig. Yinrong ZHU (curatore artistico).
La Commissione ha selezionato i lavori fra i candidati ammissibili in base ai requisiti del bando, individuando 3 vincitori a pari merito e n. 5 candidati di riserva, sulla base delle seguenti valutazioni:
il livello qualitativo del progetto anche in riferimento al suo carattere innovativo;
il curriculum artistico del candidato e la coerenza dell’opportunità offerta con le prospettive di ricerca dell’artista;
l’adeguatezza di curriculum, del progetto presentato e delle reali possibilità di crescita artistica grazie all’occasione di visibilità offerta;
l’idoneità del progetto a innescare confronti con altre culture in un diverso contesto sociale.
Gli artisti vincitori saranno ospitati in una residenza artistica in Italia, e la partenza è prevista in primavera/estate 2013.
